深圳市南皇电子有限公司长期提供IPP126N10N3 G(品牌: Infineon)充足现货订购、免费样品
技术参数详解:
Infineon英飞凌公司完整型号:IPP126N10N3 G制造厂家名称:Infineon Technologies描述:MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3系列:OptiMOS?FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):100V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):58A(Tc)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):12.3 毫欧 @ 46A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 46μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):35nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2500pF @ 50V功率 - 最大值:94W安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3供应商器件封装:TO-220-3IPP126N10N3 G均从Infineon代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!