IRFHM8363TR2PBF（Infineon）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：IRFHM8363TR2PBF

原始制造厂商：Infineon，英飞凌

技术标准参数：MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

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技术参数详解：

制造商产品型号：IRFHM8363TR2PBF

制造商：Infineon Technologies

描述：MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：*

零件状态：停产

FET类型：2 N-通道（双）

FET功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：30V

25°C时电流-连续漏极(Id)：11A

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：14.9 毫欧 @ 10A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：15nC @ 10V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1165pF @ 10V

功率-最大值：2.7W

工作温度：-

安装类型：表面贴装型

封装：8-PowerVDFN

IRFHM8363TR2PBF均从Infineon代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

Infineon

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