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图片信息
PTFA220081M V4图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:PTFA220081M V4
  • 原始制造厂商:Infineon,英飞凌
  • 技术标准参数:FET RF LDMOS 8W SON10
  • 产品应用分类:RF场效应管
  • 点击此处下载PTFA220081M V4的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • Infineon英飞凌公司完整型号:PTFA220081M V4
  • 制造厂家名称:Infineon Technologies
  • 描述:FET RF LDMOS 8W SON10
  • 系列:-
  • 晶体管类型:LDMOS
  • 频率:940MHz
  • 增益:20.7dB
  • 电压 - 测试:28V
  • 额定电流:-
  • 噪声系数:-
  • 电流 - 测试:100mA
  • 功率 - 输出:8W
  • 电压 - 额定:65V
  • 封装/外壳:10-LDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装:PG-SON-10
  • PTFA220081M V4均从Infineon代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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