PTFB191501E V1 R250（Infineon）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：PTFB191501E V1 R250

原始制造厂商：Infineon，英飞凌

技术标准参数：FET RF LDMOS 150W H36248-2

产品应用分类：RF场效应管

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技术参数详解：

Infineon英飞凌公司完整型号：PTFB191501E V1 R250

制造厂家名称：Infineon Technologies

描述：FET RF LDMOS 150W H36248-2

系列：-

晶体管类型：LDMOS

频率：1.99GHz

增益：18dB

电压 - 测试：30V

额定电流：-

噪声系数：-

电流 - 测试：1.2A

功率 - 输出：150W

电压 - 额定：65V

封装/外壳：2-扁平封装，叶片引线

供应商器件封装：H-36248-2

PTFB191501E V1 R250均从Infineon代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

Infineon

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