深圳市南皇电子有限公司长期提供SPD02N60C3（品牌: Infineon）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
Infineon英飞凌公司完整型号：SPD02N60C3制造厂家名称：Infineon Technologies描述：MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK系列：CoolMOS?FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：650V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.8A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3 欧姆 @ 1.1A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 80μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12.5nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：200pF @ 25V功率 - 最大值：25W安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63供应商器件封装：PG-TO252-3SPD02N60C3均从Infineon代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
