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图片信息
TC58NVG2S0HBAI6图片
基本技术信息：
  • 电子器件型号：TC58NVG2S0HBAI6
  • 原始制造厂商：Kioxia，东芝半导体
  • 技术标准参数：IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
  • 产品应用分类：存储器
  • 点击此处下载TC58NVG2S0HBAI6的原厂技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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    • 技术参数详解：
  • 制造商产品型号：TC58NVG2S0HBAI6
  • 制造商：Kioxia America, Inc.
  • 描述：IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
  • 产品系列：存储器
  • 包装：托盘
  • 系列：-
  • 零件状态：有源
  • 存储器类型：非易失
  • 存储器格式：闪存
  • 技术：FLASH - NAND（SLC）
  • 存储容量：4Gb（512M x 8）
  • 存储器接口：并联
  • 时钟频率：-
  • 写周期时间-字，页：25ns
  • 访问时间：25ns
  • 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 产品封装：67-VFBGA
  • TC58NVG2S0HBAI6均从Kioxia代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
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