APT58M80J（Microchip）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：APT58M80J

原始制造厂商：Microchip，微芯科技

技术标准参数：MOSFET N-CH 800V 60A SOT227

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处下载APT58M80J的原厂技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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技术参数详解：

制造商产品型号：APT58M80J

制造商：Microchip Technology

描述：MOSFET N-CH 800V 60A SOT227

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：800V

25°C时电流-连续漏极(Id)：60A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：110 毫欧 @ 43A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 5mA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：570nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：17550pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：960W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：底座安装

器件封装：SOT-227

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