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图片信息
APTGTQ100DDA65T3G图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:APTGTQ100DDA65T3G
  • 原始制造厂商:Microchip,微芯科技
  • 技术标准参数:IGBT MODULE 650V 100A 250W SP3F
  • 产品应用分类:晶体管 - IGBT - 模块
  • 点击此处下载APTGTQ100DDA65T3G的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:APTGTQ100DDA65T3G
  • 制造商:Microchip Technology
  • 描述:IGBT MODULE 650V 100A 250W SP3F
  • 系列:晶体管 - IGBT - 模块
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:-
  • 配置:双路升压斩波器
  • 电压-集射极击穿(最大值):650V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):100A
  • 功率-最大值:250W
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,100A
  • 电流-集电极截止(最大值):100μA
  • 不同?Vce时输入电容(Cies):6nF @ 25V
  • 输入:标准
  • NTC热敏电阻:是
  • 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:底座安装
  • 封装:模块
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