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图片信息
JAN1N6129US图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:JAN1N6129US
  • 原始制造厂商:Microchip,微芯科技
  • 技术标准参数:TVS DIODE 69.2V 131.36V SQ-MELF
  • 产品应用分类:TVS - 二极管
  • 点击此处下载JAN1N6129US的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:JAN1N6129US
  • 制造商:Microchip Technology
  • 描述:TVS DIODE 69.2V 131.36V SQ-MELF
  • 系列:TVS - 二极管
  • 产品系列:Military, MIL-PRF-19500/516
  • 零件状态:有源
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:-
  • 双向通道:1
  • 电压-反向断态(典型值):69.2V
  • 电压-击穿(最小值):82.18V
  • 不同Ipp时电压-箝位(最大值):131.36V
  • 电流-峰值脉冲(10/1000μs):3.8A
  • 功率-峰值脉冲:500W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:-
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:SQ-MELF,B
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