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图片信息
APT35GP120J图片
基本技术信息：
  • 电子器件型号：APT35GP120J
  • 原始制造厂商：Microsemi，美高森美
  • 技术标准参数：IGBT 1200V 64A 284W SOT227
  • 产品应用分类：IGBT模块
  • 点击此处下载APT35GP120J的原厂技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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    • 技术参数详解：
  • Microsemi美高森美完整型号：APT35GP120J
  • 制造厂家名称：Microsemi Power Products Group
  • 描述：IGBT 1200V 64A 284W SOT227
  • 系列：POWER MOS 7
  • IGBT 类型：PT
  • 配置：单一
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：64A
  • 功率 - 最大值：284W
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：3.9V @ 15V，35A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）：250μA
  • 不同 Vce 时的输入电容 (Cies)：3.24nF @ 25V
  • 输入：标准
  • NTC 热敏电阻：无
  • 安装类型：底座安装
  • 封装/外壳：ISOTOP
  • 供应商器件封装：ISOTOP
  • APT35GP120J均从Microsemi代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
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