深圳市南皇电子有限公司长期提供APT45GP120B2DQ2G（品牌: Microsemi）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
Microsemi美高森美完整型号：APT45GP120B2DQ2G制造厂家名称：Microsemi Power Products Group描述：IGBT 1200V 113A 625W TMAX系列：POWER MOS 7IGBT 类型：PT电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：113ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：170A不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：3.9V @ 15V，45A功率 - 最大值：625WSwitching Energy：900μJ （开）， 905μJ （关）输入类型：标准Gate Charge：185nC25°C 时 Td（开/关）值：18ns/100nsTest Condition：600V, 45A, 5 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr)：-封装/外壳：TO-247-3 变式安装类型：通孔供应商器件封装：*APT45GP120B2DQ2G均从Microsemi代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
