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图片信息
APT50GR120JD30图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:APT50GR120JD30
  • 原始制造厂商:Microsemi,美高森美
  • 技术标准参数:IGBT 1200V 84A 417W SOT227
  • 产品应用分类:IGBT模块
  • 点击此处下载APT50GR120JD30的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • Microsemi美高森美完整型号:APT50GR120JD30
  • 制造厂家名称:Microsemi Power Products Group
  • 描述:IGBT 1200V 84A 417W SOT227
  • 系列:-
  • IGBT 类型:NPT
  • 配置:单一
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):84A
  • 功率 - 最大值:417W
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):3.2V @ 15V,50A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):1.1mA
  • 不同 Vce 时的输入电容 (Cies):5.55nF @ 25V
  • 输入:标准
  • NTC 热敏电阻:无
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:SOT-227-4
  • 供应商器件封装:SOT-227
  • APT50GR120JD30均从Microsemi代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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