深圳市南皇电子有限公司长期提供APT65GP60L2DQ2G（品牌: Microsemi）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
Microsemi美高森美完整型号：APT65GP60L2DQ2G制造厂家名称：Microsemi Power Products Group描述：IGBT 600V 198A 833W TO264系列：POWER MOS 7IGBT 类型：PT电压 - 集射极击穿（最大值）：600V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：198ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：250A不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.7V @ 15V，65A功率 - 最大值：833WSwitching Energy：605μJ （开）， 895μJ （关）输入类型：标准Gate Charge：210nC25°C 时 Td（开/关）值：30ns/90nsTest Condition：400V, 65A, 5 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr)：-封装/外壳：TO-264-3，TO-264AA安装类型：通孔供应商器件封装：*APT65GP60L2DQ2G均从Microsemi代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
