深圳市南皇电子有限公司长期提供APTCV50H60T3G（品牌: Microsemi）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
Microsemi美高森美完整型号：APTCV50H60T3G制造厂家名称：Microsemi Power Products Group描述：IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3系列：-IGBT 类型：NPT，沟道和场截止配置：全桥电压 - 集射极击穿（最大值）：600V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80A功率 - 最大值：176W不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：1.9V @ 15V，50A电流 - 集电极截止（最大值）：250μA不同 Vce 时的输入电容 (Cies)：3.15nF @ 25V输入：标准NTC 热敏电阻：是安装类型：底座安装封装/外壳：SP3供应商器件封装：SP3APTCV50H60T3G均从Microsemi代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
