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图片信息
APTGT100TL60T3G图片
基本技术信息：
  • 电子器件型号：APTGT100TL60T3G
  • 原始制造厂商：Microsemi，美高森美
  • 技术标准参数：IGBT MODULE 3LEVEL INVERTER SP3
  • 产品应用分类：IGBT模块
  • 点击此处下载APTGT100TL60T3G的原厂技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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    • 技术参数详解：
  • Microsemi美高森美完整型号：APTGT100TL60T3G
  • 制造厂家名称：Microsemi Power Products Group
  • 描述：IGBT MODULE 3LEVEL INVERTER SP3
  • 系列：-
  • IGBT 类型：沟道和场截止
  • 配置：三级反相器
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150A
  • 功率 - 最大值：340W
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：1.9V @ 15V，100A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）：250μA
  • 不同 Vce 时的输入电容 (Cies)：6.1nF @ 25V
  • 输入：标准
  • NTC 热敏电阻：是
  • 安装类型：底座安装
  • 封装/外壳：SP3
  • 供应商器件封装：SP3
  • APTGT100TL60T3G均从Microsemi代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
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