深圳市南皇电子有限公司长期提供APTGT200H120G（品牌: Microsemi）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
Microsemi美高森美完整型号：APTGT200H120G制造厂家名称：Microsemi Power Products Group描述：IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6系列：-IGBT 类型：沟道和场截止配置：全桥反相器电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：280A功率 - 最大值：890W不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.1V @ 15V，200A电流 - 集电极截止（最大值）：350μA不同 Vce 时的输入电容 (Cies)：14nF @ 25V输入：标准NTC 热敏电阻：无安装类型：底座安装封装/外壳：SP6供应商器件封装：SP6APTGT200H120G均从Microsemi代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
