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图片信息
APTGT50A170D1G图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:APTGT50A170D1G
  • 原始制造厂商:Microsemi,美高森美
  • 技术标准参数:IGBT MODULE 1700V 70A 310W D1
  • 产品应用分类:晶体管 - IGBT - 模块
  • 点击此处下载APTGT50A170D1G的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:APTGT50A170D1G
  • 制造商:Microsemi Corporation
  • 描述:IGBT MODULE 1700V 70A 310W D1
  • 系列:晶体管 - IGBT - 模块
  • 零件状态:停产
  • IGBT类型:沟槽型场截止
  • 配置:半桥
  • 电压-集射极击穿(最大值):1700V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):70A
  • 功率-最大值:310W
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,50A
  • 电流-集电极截止(最大值):6mA
  • 不同?Vce时输入电容(Cies):4.4nF @ 25V
  • 输入:标准
  • NTC热敏电阻:无
  • 工作温度:-
  • 安装类型:底座安装
  • 封装:D1
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