深圳市南皇电子有限公司长期提供APTM100A13DG（品牌: Microsemi）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
Microsemi美高森美完整型号：APTM100A13DG制造厂家名称：Microsemi Power Products Group描述：MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6系列：-FET 类型：2 个 N 通道（半桥）FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：65A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：156 毫欧 @ 32.5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 6mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：562nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：15200pF @ 25V功率 - 最大值：1250W安装类型：底座安装封装/外壳：SP6供应商器件封装：SP6APTM100A13DG均从Microsemi代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
