深圳市南皇电子有限公司长期提供APTM100TDU35PG（品牌: Microsemi）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：APTM100TDU35PG制造商：Microsemi Corporation描述：MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：停产FET类型：6 N-沟道（3 相桥）FET功能：标准漏源电压（Vdss）：1000V（1kV）25°C时电流-连续漏极(Id)：22A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：420 毫欧 @ 11A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：186nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5200pF @ 25V功率-最大值：390W工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型：底座安装封装：SP6APTM100TDU35PG均从Microsemi代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
