深圳市南皇电子有限公司长期提供APTM10DSKM09T3G（品牌: Microsemi）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
Microsemi美高森美完整型号：APTM10DSKM09T3G制造厂家名称：Microsemi Power Products Group描述：MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3系列：-FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：139A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：10 毫欧 @ 69.5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 2.5mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：350nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：9875pF @ 25V功率 - 最大值：390W安装类型：底座安装封装/外壳：SP3供应商器件封装：SP3APTM10DSKM09T3G均从Microsemi代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
