深圳市南皇电子有限公司长期提供APTM120DA30CT1G（品牌: Microsemi）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
Microsemi美高森美完整型号：APTM120DA30CT1G制造厂家名称：Microsemi Power Products Group描述：MOSFET N-CH 1200V 31A SP1系列：POWER MOS 8?FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：31A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：360 毫欧 @ 25A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：560nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：14560pF @ 25V功率 - 最大值：657W安装类型：底座安装封装/外壳：SP1供应商器件封装：SP1APTM120DA30CT1G均从Microsemi代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
