深圳市南皇电子有限公司长期提供APTM50DHM65T3G（品牌: Microsemi）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：APTM50DHM65T3G制造商：Microsemi Corporation描述：MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：POWER MOS 8?零件状态：停产FET类型：2 N 沟道（双）非对称型FET功能：标准漏源电压（Vdss）：500V25°C时电流-连续漏极(Id)：51A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：78 毫欧 @ 42A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：340nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：10800pF @ 25V功率-最大值：390W工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型：底座安装封装：SP3APTM50DHM65T3G均从Microsemi代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
