深圳市南皇电子有限公司长期提供JAN2N6766T1（品牌: Microsemi）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：JAN2N6766T1制造商：Microsemi Corporation描述：MOSFET N-CH 200V 30A TO254AA系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：Military, MIL-PRF-19500/543零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：200V25°C时电流-连续漏极(Id)：30A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：90 毫欧 @ 30A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：115nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-FET功能：-功率耗散（最大值）：4W（Ta），150W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-254AAJAN2N6766T1均从Microsemi代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
