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图片信息
A2T08VD020NT1图片
基本技术信息：
  • 电子器件型号：A2T08VD020NT1
  • 原始制造厂商：NXP，恩智浦半导体
  • 技术标准参数：AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 射频
  • 点击此处下载A2T08VD020NT1的原厂技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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    • 技术参数详解：
  • 制造商产品型号：A2T08VD020NT1
  • 制造商：NXP USA Inc.
  • 描述：AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 射频
  • 零件状态：有源
  • 晶体管类型：LDMOS
  • 频率：728MHz ~ 960MHz
  • 增益：19.1dB
  • 电压-测试：48V
  • 额定电流（安培）：10μA
  • 噪声系数：-
  • 电流-测试：40mA
  • 功率-输出：18W
  • 电压-额定：105V
  • 封装：24-QFN
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