A2T18S262W12NR3（NXP）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：A2T18S262W12NR3

技术标准参数：AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 射频

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技术参数详解：

制造商产品型号：A2T18S262W12NR3

制造商：NXP USA Inc.

描述：AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 射频

零件状态：有源

晶体管类型：LDMOS

频率：1.805GHz ~ 1.88GHz

增益：19.3dB

电压-测试：28V

额定电流（安培）：10μA

噪声系数：-

电流-测试：1.6A

功率-输出：231W

电压-额定：65V

封装：OM-880X-2L2L

A2T18S262W12NR3均从NXP代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

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