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图片信息
BAP55LX,315图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:BAP55LX,315
  • 原始制造厂商:NXP,恩智浦半导体
  • 技术标准参数:RF DIODE PIN 50V 135MW 2DFN
  • 产品应用分类:二极管 - 射频
  • 点击此处下载BAP55LX,315的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:BAP55LX,315
  • 制造商:NXP USA Inc.
  • 描述:RF DIODE PIN 50V 135MW 2DFN
  • 系列:二极管 - 射频
  • 零件状态:有源
  • 二极管类型:PIN - 单
  • 电压-峰值反向(最大值):50V
  • 电流-最大值:100mA
  • 不同?Vr、F时电容:0.28pF @ 20V,1MHz
  • 不同?If、F时电阻:800 毫欧 @ 100mA,100MHz
  • 功率耗散(最大值):135mW
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 封装:2-XDFN
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