BLL8H0514L-130U（NXP）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：BLL8H0514L-130U

原始制造厂商：NXP，恩智浦半导体

技术标准参数：TRANS L-BAND LDMOS 130W SOT1135A

产品应用分类：RF FET

点击此处下载BLL8H0514L-130U的原厂技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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技术参数详解：

NXP恩智浦完整型号: BLL8H0514L-130U

制造厂家名称: NXP Semiconductors

功能总体简述: TRANS L-BAND LDMOS 130W SOT1135A

系列: -

晶体管类型: LDMOS

电压 - 集射极击穿（最大值）: -

频率: 1.2GHz ~ 1.4GHz

增益: 17dB

频率 - 跃迁: -

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: -

电压 - 测试: 50V

额定电流: -

功率 - 最大值: -

噪声系数: -

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: -

电流 - 测试: 50mA

功率 - 输出: 130W

电流 - 集电极（Ic）（最大值）: -

安装类型: -

电压 - 额定: 100V

封装/外壳: SOT-1135A

供应商器件封装:

BLL8H0514L-130U均从NXP代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

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