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图片信息
BLP10H605AZ图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:BLP10H605AZ
  • 原始制造厂商:NXP,恩智浦半导体
  • 技术标准参数:TRANSISTOR DVR LDMOS 5W 12HVSON
  • 产品应用分类:RF FET
  • 点击此处下载BLP10H605AZ的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • NXP恩智浦完整型号: BLP10H605AZ
  • 制造厂家名称: NXP Semiconductors
  • 功能总体简述: TRANSISTOR DVR LDMOS 5W 12HVSON
  • 系列: *
  • 晶体管类型: -
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): -
  • 频率: -
  • 增益: -
  • 频率 - 跃迁: -
  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): -
  • 电压 - 测试: -
  • 额定电流: -
  • 功率 - 最大值: -
  • 噪声系数: -
  • 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): -
  • 电流 - 测试: -
  • 功率 - 输出: -
  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值): -
  • 安装类型: -
  • 电压 - 额定: -
  • 封装/外壳: -
  • 供应商器件封装:
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