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图片信息
BUK9Y12-100E,115图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:BUK9Y12-100E,115
  • 原始制造厂商:NXP,恩智浦半导体
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 100V LFPAK
  • 产品应用分类:单端场效应管
  • 点击此处下载BUK9Y12-100E,115的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • NXP恩智浦完整型号:BUK9Y12-100E,115
  • 制造厂家名称:NXP Semiconductors
  • 描述:MOSFET N-CH 100V LFPAK
  • 系列:-
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):85A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):12 毫欧 @ 25A, 5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):64nC @ 5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7973pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:238W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SC-100,SOT-669,4-LFPAK
  • 供应商器件封装:LFPAK56, Power-SO8
  • BUK9Y12-100E,115均从NXP代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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