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图片信息
BZT52H-C12,115图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:BZT52H-C12,115
  • 原始制造厂商:NXP,恩智浦半导体
  • 技术标准参数:DIODE ZENER 12V 375MW SOD123F
  • 产品应用分类:单齐纳二极管
  • 点击此处下载BZT52H-C12,115的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • NXP恩智浦完整型号:BZT52H-C12,115
  • 制造厂家名称:NXP Semiconductors
  • 描述:DIODE ZENER 12V 375MW SOD123F
  • 系列:-
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12V
  • 容差:±5%
  • 功率 - 最大值:375mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):10 欧姆
  • 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 8V
  • 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf):900mV @ 10mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SOD-123F
  • 供应商器件封装:SOD-123F
  • BZT52H-C12,115均从NXP代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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