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图片信息
PBLS2003S,115图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:PBLS2003S,115
  • 原始制造厂商:NXP,恩智浦半导体
  • 技术标准参数:TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO
  • 产品应用分类:晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
  • 点击此处下载PBLS2003S,115的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:PBLS2003S,115
  • 制造商:NXP USA Inc.
  • 描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO
  • 系列:晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
  • 零件状态:停产
  • 晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):100mA,3A
  • 电压-集射极击穿(最大值):50V,20V
  • 电阻器-基极(R1):10 千欧
  • 电阻器-发射极(R2):10 千欧
  • 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V / 150 @ 2A,2V
  • 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降(最大值):150mV @ 500μA,10mA / 355mV @ 300mA,3A
  • 电流-集电极截止(最大值):1μA,100nA
  • 频率-跃迁:100MHz
  • 功率-最大值:1.5W
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
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