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图片信息
PBLS2022D,115图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:PBLS2022D,115
  • 原始制造厂商:NXP,恩智浦半导体
  • 技术标准参数:TRANS PNP PREBIAS/PNP 6TSOP
  • 产品应用分类:阵列﹐预偏压式晶体管
  • 点击此处下载PBLS2022D,115的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • NXP恩智浦完整型号:PBLS2022D,115
  • 制造厂家名称:NXP Semiconductors
  • 描述:TRANS PNP PREBIAS/PNP 6TSOP
  • 系列:-
  • 晶体管类型:1 PNP 预偏压式,1 PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA,1.8A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50V,20V
  • 电阻器 - 基底 (R1) (Ω):4.7k
  • 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):4.7k
  • 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):30 @ 10mA,5V / 200 @ 1A,2V
  • 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA / 210mV @ 100mA,1.8A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):1μA,100nA
  • 频率 - 跃迁:130MHz
  • 功率 - 最大值:760mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SC-74,SOT-457
  • 供应商器件封装:6-TSOP
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