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图片信息
PHN210T,118图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:PHN210T,118
  • 原始制造厂商:NXP,恩智浦半导体
  • 技术标准参数:MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
  • 产品应用分类:场效应管阵列
  • 点击此处下载PHN210T,118的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • NXP恩智浦完整型号:PHN210T,118
  • 制造厂家名称:NXP Semiconductors
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
  • 系列:TrenchMOS?
  • FET 类型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):-
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):100 毫欧 @ 2.2A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):250pF @ 20V
  • 功率 - 最大值:2W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SO
  • PHN210T,118均从NXP代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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