深圳市南皇电子有限公司长期提供PMDT670UPE,115（品牌: NXP）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
NXP恩智浦完整型号：PMDT670UPE,115制造厂家名称：NXP Semiconductors描述：MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666系列：-FET 类型：2 个 P 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：550mA不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：850 毫欧 @ 400mA，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1.14nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：87pF @ 10V功率 - 最大值：330mW安装类型：表面贴装封装/外壳：SOT-563，SOT-666供应商器件封装：SOT-666PMDT670UPE,115均从NXP代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
