PMDXB1200UPEZ（NXP）-深圳市南皇电子有限公司

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PMDXB1200UPEZ - 南皇电子长期提供竞争力的价格、订货及技术支持，NXP代理稳定货源。

图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：PMDXB1200UPEZ

技术标准参数：MOSFET P-CH 30V DUAL DFN1010B-6

产品应用分类：FET - 阵列

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技术参数详解：

NXP恩智浦完整型号: PMDXB1200UPEZ

制造厂家名称: NXP Semiconductors

功能总体简述: MOSFET P-CH 30V DUAL DFN1010B-6

系列: -

FET 类型: 2 个 P 沟道（双）

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 410mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 1.4 欧姆 @ 410mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 950mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 1.2nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 43.2pF @ 15V

功率 - 最大值: 285mW

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 6-XFDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: DFN1010B-6

PMDXB1200UPEZ均从NXP代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

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