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图片信息
PMFPB6532UP,115图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:PMFPB6532UP,115
  • 原始制造厂商:NXP,恩智浦半导体
  • 技术标准参数:MOSFET P-CH 20V 3.5A DFN2020-6
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处下载PMFPB6532UP,115的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:PMFPB6532UP,115
  • 制造商:NXP USA Inc.
  • 描述:MOSFET P-CH 20V 3.5A DFN2020-6
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):3.5A(Ta)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):1.8V,4.5V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):70 毫欧 @ 1A,4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):6nC @ 4.5V
  • Vgs(最大值):±8V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):380pF @ 10V
  • FET功能:肖特基二极管(隔离式)
  • 功率耗散(最大值):520mW(Ta),8.3W(Tc)
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:DFN2020-6
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