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图片信息
PMGD370XN,115图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:PMGD370XN,115
  • 原始制造厂商:NXP,恩智浦半导体
  • 技术标准参数:MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6TSSOP
  • 产品应用分类:场效应管阵列
  • 点击此处下载PMGD370XN,115的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • NXP恩智浦完整型号:PMGD370XN,115
  • 制造厂家名称:NXP Semiconductors
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6TSSOP
  • 系列:TrenchMOS?
  • FET 类型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):740mA
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):440 毫欧 @ 200mA,4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):650nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):37pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:410mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装:6-TSSOP
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