PMPB29XNE,115（NXP）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：PMPB29XNE,115

技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 5A 6DFN

产品应用分类：单端场效应管

现货供应，最快当日出货，满足您从研发到批量生产的所有大小批量采购需求！

技术参数详解：

NXP恩智浦完整型号：PMPB29XNE,115

制造厂家名称：NXP Semiconductors

描述：MOSFET N-CH 30V 5A 6DFN

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：5A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：33 毫欧 @ 5A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：18.6nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1150pF @ 15V

功率 - 最大值：1.7W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：6-DFN2020MD （2x2）

PMPB29XNE,115均从NXP代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

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