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图片信息
PMV50XPR图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:PMV50XPR
  • 原始制造厂商:NXP,恩智浦半导体
  • 技术标准参数:MOSFET P-CH 20V SOT23
  • 产品应用分类:FET - 单
  • 点击此处下载PMV50XPR的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • NXP恩智浦完整型号: PMV50XPR
  • 制造厂家名称: NXP Semiconductors
  • 功能总体简述: MOSFET P-CH 20V SOT23
  • 系列: -
  • FET 类型: MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压(Vdss): 20V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 3.6A(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 60 毫欧 @ 3.6A,4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 900mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 12nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 744pF @ 20V
  • 功率 - 最大值: 490mW
  • 安装类型: 表面贴装
  • 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装: TO-236AB(SOT23)
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