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图片信息
PSMN6R4-30MLDX图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:PSMN6R4-30MLDX
  • 原始制造厂商:NXP,恩智浦半导体
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 30V MLFP
  • 产品应用分类:FET - 单
  • 点击此处下载PSMN6R4-30MLDX的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • NXP恩智浦完整型号: PSMN6R4-30MLDX
  • 制造厂家名称: NXP Semiconductors
  • 功能总体简述: MOSFET N-CH 30V MLFP
  • 系列: -
  • FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能: 逻辑电平栅极,4.5V 驱动
  • 漏源极电压(Vdss): 30V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 66A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 6.3 毫欧 @ 15A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 13.7nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 832pF @ 15V
  • 功率 - 最大值: 51W
  • 安装类型: 表面贴装
  • 封装/外壳: SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
  • 供应商器件封装: LFPAK33
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