深圳市南皇电子有限公司长期提供PHB18NQ10T（品牌: Nexperia）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
Nexperia公司器件型号：PHB18NQ10T,118制造商：Nexperia USA Inc.（安世半导体）-2017年从NXP分离功能总体描述：MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK所属类别：FET，MOSFET - 单-晶体管系列：TrenchMOS??零件状态：在售FET 类型：N 沟道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）：100V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：-不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：21nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：633pF @ 25VVgs（最大值）：-FET 功能：-功率耗散（最大值）：79W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：90 毫欧 @ 9A，10V工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装Nexperia公司标准封装：D2PAK封装形式：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263ABPHB18NQ10T的标准包装数量(SPQ)：4800 PCSPHB18NQ10T均从Nexperia代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
