深圳市南皇电子有限公司长期提供PHB32N06LT（品牌: Nexperia）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
Nexperia公司器件型号：PHB32N06LT,118制造商：Nexperia USA Inc.（安世半导体）-2017年从NXP分离功能总体描述：MOSFET N-CH 60V 34A D2PAK所属类别：FET，MOSFET - 单-晶体管系列：TrenchMOS??零件状态：在售FET 类型：N 沟道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）：60V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：34A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，5V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：17nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1280pF @ 25VVgs（最大值）：±15VFET 功能：-功率耗散（最大值）：97W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：37 毫欧 @ 20A，10V工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装Nexperia公司标准封装：D2PAK封装形式：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263ABPHB32N06LT的标准包装数量(SPQ)：800 PCSPHB32N06LT均从Nexperia代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
