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图片信息
PMPB29XNE图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:PMPB29XNE
  • 原始制造厂商:Nexperia,安世半导体
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 30V 5A 6DFN
  • 产品应用分类:FET,MOSFET - 单-晶体管
  • 点击此处下载PMPB29XNE的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • Nexperia公司器件型号:PMPB29XNE,115
  • 制造商:Nexperia USA Inc.(安世半导体)-2017年从NXP分离
  • 功能总体描述:MOSFET N-CH 30V 5A 6DFN
  • 所属类别:FET,MOSFET - 单-晶体管
  • 系列:-
  • 零件状态:在售
  • FET 类型:N 沟道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):18.6nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1150pF @ 15V
  • Vgs(最大值):-
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):1.7W(Ta),12.5W(Tc)
  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):33 毫欧 @ 5A,4.5V
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装
  • Nexperia公司标准封装:6-DFN2020MD(2x2)
  • 封装形式:6-UDFN
  • PMPB29XNE的标准包装数量(SPQ):3000 PCS
  • PMPB29XNE均从Nexperia代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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