深圳市南皇电子有限公司长期提供PSMN1R3-30YL（品牌: Nexperia）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
Nexperia公司器件型号：PSMN1R3-30YL,115制造商：Nexperia USA Inc.（安世半导体）-2017年从NXP分离功能总体描述：MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK所属类别：FET，MOSFET - 单-晶体管系列：-零件状态：在售FET 类型：N 沟道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）：30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.15V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：100nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：6227pF @ 12VVgs（最大值）：±20VFET 功能：-功率耗散（最大值）：121W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.3 毫欧 @ 15A，10V工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装Nexperia公司标准封装：LFPAK56，Power-SO8封装形式：SOT-1023，4-LFPAKPSMN1R3-30YL的标准包装数量(SPQ)：1500 PCSPSMN1R3-30YL均从Nexperia代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
