BS108ZL1G（ON）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：BS108ZL1G

技术标准参数：MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

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技术参数详解：

制造商产品型号：BS108ZL1G

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：停产

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：200V

25°C时电流-连续漏极(Id)：250mA（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2V，2.8V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8 欧姆 @ 100mA，2.8V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 1mA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：150pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：350mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

器件封装：TO-92-3

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