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图片信息
基本技术信息：
技术参数详解：
制造厂家名称: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
功能总体简述: MOSFET 2N-CH 30V 2.5A CPH6
系列: -
FET 类型: 2 个 N 沟道（双）
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）: 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 2.5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 105 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 5.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 187pF @ 10V
功率 - 最大值: 900mW
安装类型: 表面贴装
产品封装: SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装: 6-CPH
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