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图片信息

基本技术信息:
技术参数详解:
制造厂家名称: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
功能总体简述: MOSFET N-CH 30V 10A ECH8
系列: -
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平栅极,4V 驱动
漏源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 10A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 15 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 28nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 1400pF @ 10V
功率 - 最大值: 1.6W
安装类型: 表面贴装
产品封装: 8-SMD,扁平引线
供应商器件封装: 8-ECH
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