ECH8620-TL-E（ON）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：ECH8620-TL-E

原始制造厂商：ON，ON安森美半导体

技术标准参数：MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8

产品应用分类：FET - 阵列

点击此处下载ECH8620-TL-E的原厂技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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技术参数详解：

ON安森美半导体完整型号: ECH8620-TL-E
制造厂家名称: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
功能总体简述: MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8
系列: -
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）: 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 2A，1.5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 260 毫欧 @ 1A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 13.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 650pF @ 20V
功率 - 最大值: 1.3W
安装类型: 表面贴装
产品封装: 8-SMD，扁平引线
供应商器件封装: 8-ECH
ECH8620-TL-E均从ON代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！