深圳市南皇电子有限公司长期提供FDB024N06（品牌: ON）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：FDB024N06制造商：ON Semiconductor描述：MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：PowerTrench?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：120A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.4 毫欧 @ 75A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：226nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：14885pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：395W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：D2PAKFDB024N06均从ON代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
