深圳市南皇电子有限公司长期提供FDC2612(品牌: ON)充足现货订购、免费样品
技术参数详解:
制造商产品型号:FDC2612制造商:ON Semiconductor描述:MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:PowerTrench?零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):200V25°C时电流-连续漏极(Id):1.1A(Ta)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):725 毫欧 @ 1.1A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):11nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):234pF @ 100VFET功能:-功率耗散(最大值):1.6W(Ta)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:SuperSOT?-6FDC2612均从ON代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!